1. KSP45TA
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厂商型号

KSP45TA 

产品描述

Trans GP BJT NPN 350V 0.3A 3-Pin TO-92 Ammo

内部编号

3-KSP45TA

#1

数量:52201
1+¥0.5394
25+¥0.5394
100+¥0.4623
500+¥0.4623
1000+¥0.4623
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:9490
1+¥2.6667
10+¥1.7299
100+¥0.7385
1000+¥0.5675
2000+¥0.4308
10000+¥0.3829
24000+¥0.3556
50000+¥0.3214
100000+¥0.3077
最小起订量:1
美国加州
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#3

数量:10001
最小起订金额:¥1575
马来西亚吉隆坡
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质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

KSP45TA产品详细规格

规格书 KSP45TA datasheet 规格书
KSP45TA datasheet 规格书
KSP44, 45
文档 Copper Lead Frame 12/Oct/2007
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,000
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 300mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 350V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 750mV @ 5mA, 50mA
电流 - 集电极截止(最大) 500nA
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 50 @ 10mA, 10V
功率 - 最大 625mW
频率转换 -
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
供应商器件封装 TO-92-3
包装材料 Tape & Box (TB)
包装 3TO-92
类型 NPN
引脚数 3
最大集电极发射极电压 350 V
集电极最大直流电流 0.3 A
最小直流电流增益 40@1mA@10V|50@10mA@10V|45@50mA@10V|40@100mA@10V
最大集电极发射极饱和电压 0.4@0.1mA@1mA|0.5@1mA@10mA|0.75@5mA@50mA V
最大集电极基极电压 400 V
工作温度 -55 to 150 °C
最大功率耗散 625 mW
安装 Through Hole
标准包装 Ammo Pack
集电极最大直流电流 0.3
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-92
最低工作温度 -55
最大功率耗散 625
最大基地发射极电压 6
封装 Ammo
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 400
供应商封装形式 TO-92
最大集电极发射极电压 350
铅形状 Formed
电流 - 集电极( Ic)(最大) 300mA
晶体管类型 NPN
安装类型 Through Hole
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 750mV @ 5mA, 50mA
电流 - 集电极截止(最大) 500nA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 350V
供应商设备封装 TO-92-3
功率 - 最大 625mW
封装/外壳 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 50 @ 10mA, 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 2000
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 6 V
零件号别名 KSP45TA_NL
安装风格 Through Hole
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
直流集电极/增益hfe最小值 50
直流电流增益hFE最大值 200
单位重量 0.006279 oz
集电极 - 发射极最大电压VCEO 350 V
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS In Transition
连续集电极电流 0.3 A
集电极 - 发射极饱和电压 0.75 V
系列 KSP45
集电极 - 基极电压VCBO 400 V
最低工作温度 - 55 C
其他名称 KSP45TACT
宽度 3.93 mm
长度 4.7 mm
身高 4.7 mm
Pd - Power Dissipation 625 mW
品牌 Fairchild Semiconductor

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